【EC Markets交易平台官网】大幅拉升！芯片巨头突爆大消息

　　两大芯片巨头重磅联手？

　　据最新消息，SK海力士正与英特尔洽谈合作事宜，拉升计划首次在美国本土生产存储芯片。芯片息受此影响，突爆英特尔、大幅大消SK海力士美股盘前股价均大幅拉升。拉升EC Markets交易平台官网今日下午，芯片息韩国存储芯片巨头SK海力士股价收涨超4%。突爆

　　不过，大幅大消16日晚间，拉升SK海力士官网发布公告表示，芯片息目前，突爆EC安盈外汇平台关于公司与英特尔之间在美国生产存储芯片的大幅大消洽谈，尚无任何确定的拉升计划。

　　与此同时，芯片息美国存储巨头美光科技高管在接受采访时称，由于新建产能周期漫长且工艺极度复杂，行业至少要到2028年后才能迎来实质性的新增产能释放。长期供应协议正重塑行业商业模式，人形机器人将引爆下一波海量存储需求。

　　芯片巨头飙涨

　　据路透社援引消息人士的话报道，SK海力士正与英特尔洽谈合作事宜，计划首次在美国本土生产存储芯片。EC安盈外汇开户谈判地点聚焦于英特尔位于俄亥俄州的芯片制造工厂。

　　受此影响，英特尔股价在美股盘前交易中大幅拉升，一度大涨超5%，截至发稿，涨幅收窄至3%左右。

　　9月16日下午，韩国存储芯片巨头SK海力士股价亦直线拉升，截至收盘，涨幅达4.08%。港股南方两倍做多海力士大涨超6%。

　　三名知情人士透露，目前SK海力士与英特尔主要围绕以下两套方案进行洽谈：

　　方案一：SK海力士租用英特尔俄亥俄州工厂的部分产能，直接在当地开展存储芯片生产。

　　方案二：SK海力士与英特尔、主要云计算公司共同组建合资企业。云厂商的动机明确——它们迫切希望锁定存储芯片供应。背景是，AI和数据中心的持续高速投入，已造成存储芯片的严重短缺。

　　报道称，至于具体生产哪类芯片，目前尚未获悉。SK海力士的产品线涵盖用于服务器、PC和智能手机的DRAM芯片、提供长期存储的NAND闪存芯片，以及用于AI处理器的高带宽内存（HBM）——其中HBM领域，SK海力士是全球领先供应商。

　　目前谈判仍处于探索阶段，知情人士强调“尚未作出任何决定”，具体合作结构也存在多种可能。

　　报道称，这笔潜在交易，对英特尔、美国政府都有较大的价值。英特尔方面，公司近年来持续承压，俄亥俄州工厂的建设计划也因此陷入不确定。若SK海力士入局，相当于为这一项目注入外部支撑。

　　特朗普政府方面，其一直在向全球芯片企业施压，要求在美国本土建厂。SK海力士若在美国落地生产，将是这一政策的标志性成果。

　　但报道称，知情人士指出，韩国政府的潜在反对，可能是这笔交易面临的最大阻碍之一。

　　韩国政府历来对本国核心半导体技术外流保持高度警惕，SK海力士的存储芯片制造能力（HBM等技术）属于战略敏感领域，能否获得韩国政府的政策许可，将直接决定相关合作能否落地。

　　美光科技：新建产能周期漫长

　　美光科技高管警告称，存储已成为决定AI性能上限的最核心瓶颈，由于新建产能周期漫长且工艺极度复杂，行业至少要到2028年后才能迎来实质性的新增产能释放。

　　当地时间9月15日，美光科技CEO高级顾问Sumit Sadana接受采访时指出，由于AI模型需要存储在内存中，且海量数据需要在内存间来回传输，处理器与内存之间的带宽已成为性能的关键瓶颈。同时，存储市场正面临着长达数十年积累下来的结构性失衡——上世纪90年代初有多达20多家DRAM公司，如今只剩下寥寥几家；而目前设计处理器的公司却已超过20家。这种“少对多”的漏斗型供给格局，使得面对爆发式的AI需求时，存储供应链显得极为脆弱。

　　半导体工厂的建设受制于基础设施、监管审批以及技术工人的严重短缺，Sadana表示：“我们认为真正意义上有效的新增供应要到2028年才能开始逐步释放，而且这仅仅是初期阶段，产能增长的势头要到之后几年才能真正增强。因此，整个行业需要一段时间才能找到新的平衡点。”

　　目前，美光科技也正在开启前所未有的资本开支计划。Sadana透露：“2025财年我们的资本支出略高于130亿美元；2026财年将翻一番；2027财年预计将超过450亿美元。我们最近在美国宣布，将投资额从2000亿美元提高到2500亿美元，并加快了时间表。”